Pó de alumina em plaquetas de 15 µm a 20 µm para polimento de wafers de arseneto de gálio.
O pó de alumina em plaquetas de 15 µm a 20 µm para polimento de wafers de arseneto de gálio é produzido a partir de pó de alumina industrial de alta qualidade, processado por um processo especial. O formato cristalino do pó de alumina produzido é hexagonal achatado, semelhante a uma placa, sendo por isso designado por pó de alumina em plaquetas ou pó de alumina calcinada em placas.
A pureza da alumina em placas é superior a 99%, apresentando características como a resistência ao calor, à corrosão por ácidos e álcalis e uma elevada dureza. Ao contrário das partículas abrasivas esféricas tradicionais, a superfície inferior da alumina em placas é plana, permitindo que as partículas se ajustem à superfície da peça durante a retificação. Isto produz um efeito de rectificação por deslizamento, evitando que as arestas vivas das partículas risquem a superfície da peça. Além disso, na retificação com alumina em placas, a pressão de retificação é distribuída uniformemente sobre a superfície das partículas, tornando-as menos propensas a quebrar e melhorando a resistência ao desgaste. Consequentemente, a eficiência da retificação e o acabamento superficial são melhorados.
Para materiais semicondutores, como wafers de silício, a aplicação de óxido de alumínio em placas pode reduzir o tempo de retificação, melhorar significativamente a eficiência, diminuir as perdas na máquina, poupar mão-de-obra e custos de retificação, bem como aumentar a taxa de aprovação. A qualidade aproxima-se da de marcas estrangeiras de renome.
A eficiência da retificação de tubos de imagem com bolbo de vidro aumenta 3 a 5 vezes;
a taxa de produtos aprovados aumenta 10 a 15%, atingindo mais de 99% para wafers semicondutores;
o consumo de retificação é 40 a 45% inferior ao do pó de polimento de alumina comum.
Composição química – Pó de alumina em plaquetas de 15 µm e 20 µm para polimento de wafers de arseneto de gálio.
| Produtos químicos | Valor da garantia | Valor típico |
| Al2O3 | ≥99,0% | 99,36% |
| SiO2 | <0,2% | 0,017% |
| Fe2O3 | <0,1% | 0,03% |
| Na2O | <0,6% | 0,35% |
Propriedades físicas – Pó de alumina em plaquetas de 15 µm e 20 µm para polimento de wafers de arseneto de gálio.
| Material | α-Al2O3 |
| Cor | Branco |
| Gravidade específica | ≥3,9g/cm3 |
| Dureza de Mohs | 9.0 |
Tamanhos disponíveis: Pó de alumina em plaquetas de 15 µm e 20 µm para polimento de wafers de arseneto de gálio.
| Tipo | D3(um) | D50（um） | D94 (um) |
| HTTA45 | 50,5-56,2 | 33-38,5 | 20,7-24,5 |
| HTTA40 | 39-44,6 | 27,7-31,7 | 18-20 |
| HTTA35 | 35,4-39,8 | 23,8-27,2 | 15-17 |
| HXTA30 | 28,1-32,3 | 19,2-22,3 | 13,4-15,6 |
| HTTA25 | 24,4-28,2 | 16,1-18,7 | 9,6-11,2 |
| HTTA20 | 20,9-24,1 | 13.1-15.3 | 8,2-9,8 |
| HTTA15 | 14,8-17,2 | 9.4-11 | 5,8-6,8 |
| HTTA12 | 11,8-13,8 | 7,6-8,8 | 4,5-5,3 |
| HXTA09 | 8,9-10,5 | 5,9-6,9 | 3,3-3,9 |
| HXTA05 | 6,6-7,8 | 4.3-5.1 | 2,55-3,05 |
| HTTA03 | 4,8-5,6 | 2,8-3,4 | 1,5-2,1 |
Aplicação do produto
1) Indústria eletrónica: retificação e polimento de wafers de silício monocristalino semicondutor, cristais de quartzo, semicondutores compostos (gálio cristalino, nanopartículas fosfatizadas).
2) Indústria vidreira: moagem e processamento de cristal, vidro de quartzo, ecrã de vidro para cinescópio, vidro ótico, substrato de vidro para ecrãs de cristal líquido (LCD) e cristal de quartzo.
3) Indústria de revestimentos: revestimentos e cargas especiais para projeção térmica por plasma.
4) Indústria de processamento de metais e cerâmicas: materiais cerâmicos de precisão, matérias-primas cerâmicas sinterizadas, revestimentos de alta temperatura de alta qualidade, etc.
